Infineon OptiMOS 3 IPP110N20NAAKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 88 A 300 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8745
Herst. Teile-Nr.:
IPP110N20NAAKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

88 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.36mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

65 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

15.95mm

Serie

OptiMOS 3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN