Infineon HEXFET IRFB7746PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 59 A 99 W, 3-Pin TO-220

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

41,85 €

(ohne MwSt.)

49,80 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +0,837 €41,85 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
145-8749
Herst. Teile-Nr.:
IRFB7746PBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

59 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

10,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Verlustleistung max.

99 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

55 nC @ 10 V

Höhe

16.51mm

Serie

HEXFET

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN