Infineon SIPMOS BSS159NH6906XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 130 mA 360 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 145-8823
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS159NH6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS159NH6906XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 130 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 360 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,4 nC bei 5 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | SIPMOS | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 130 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 Ω | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 360 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,4 nC bei 5 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie SIPMOS | ||
Höhe 1mm | ||
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.