Infineon HEXFET IRF640NLPBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 150 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 145-8857
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640NLPBF
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,453 € | 72,65 € |
| 250 + | 1,171 € | 58,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-8857
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF640NLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 150 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 67 nC @ 10 V | |
| Länge | 10.67mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 11.3mm | |
| Serie | HEXFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 150 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 150 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 67 nC @ 10 V | ||
Länge 10.67mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 11.3mm | ||
Serie HEXFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN