Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 59 A 99 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

59 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

11,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

99 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

59 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

6.73mm

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

2.39mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C