Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-9198
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4410ZPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

97A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

83nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.02mm

Breite

4.82mm

Länge

10.66mm

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 97 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFB4410ZPBF


Dieser MOSFET ist ein Hochleistungs-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in Leistungselektronikbaugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät, das in der Lage ist, einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und eine hohe Ablassquellenspannung über einen breiten Umgebungsbereich zu bewältigen, wodurch er sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen und herkömmliche Kühlkörperanordnungen eignet.

Merkmale und Vorteile:


• 100 V Drain-Source-Spannung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 97 A Dauerstrom unterstützen Hochlastanwendungen
• 9 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs
• Die Verlustleistung von 230 W ermöglicht eine dauerhafte Nutzung mit hoher Leistung
• 83 nC typische Gate-Ladung sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen

Anwendungsbereiche


• Geeignet für industrielle Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Stromversorgungen
• Wird für die Stromschaltung in Telekommunikations- und Serverversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Geeignet für das Prototyping von Laborstromelektronik

Welcher Gehäusetyp ist für die Montage und Kühlung vorgesehen?


Er wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das eine sichere Leiterplattenmontage und eine einfache Befestigung an einem Kühlkörper für das Wärmemanagement ermöglicht.

Welche Gate-Drive-Bedenken sollte ich bei der Schaltleistung berücksichtigen?


Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von 83 nC bei Standard-Gate-Spannung

Gate-Treiber entwickelt, um genügend Strom zu liefern und zu senken, um Zielgeschwindigkeiten zu erreichen und gleichzeitig Schaltverluste zu bewältigen.

Wie wirkt sich der Sperrschichttemperaturbereich auf den Einsatz aus?


Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Anwendungen mit breiten Umgebungs- und Sperrschichttemperaturen, sofern ein ausreichendes thermisches Design angewendet wird.

Was ist die Durchlassspannung bei der Leitungsleitung und welche Auswirkungen hat sie?


Die Durchlassspannung beträgt unter den angegebenen Bedingungen 1,3 V, was bei der Berechnung der Wärme- und Leistungsbudgets zur Berechnung der gesamten Leitungsverluste beiträgt.

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