Infineon Einfach CoolMOS™ C3 Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 800 V Erweiterung / 8 A, 3-Pin TO-220FP
- RS Best.-Nr.:
- 145-9477
- Herst. Teile-Nr.:
- SPA08N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- SPA08N80C3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Serie | CoolMOS™ C3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Länge | 10.65mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Serie CoolMOS™ C3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Länge 10.65mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Infineon CoolMOS™ MOSFET der Serie C3, 8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 40 W maximale Verlustleistung - SPA08N80C3XKSA1
Dieser Leistungstransistor ist für Hochspannungsanwendungen konzipiert, wobei der Schwerpunkt auf Effizienz und Wärmemanagement liegt. Er ist ein wichtiger Bestandteil moderner industrieller Anwendungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Maximaler kontinuierlicher Drainstrom von 8 A
• Hält Drain-Source-Spannungen von bis zu 800 V stand
• Niedriger Durchlasswiderstand erhöht die Effizienz
• Ultra-niedrige Gate-Ladung ermöglicht schnelleren Betrieb
• Robuste Leistung über einen breiten Temperaturbereich
• Vollständig isolierte Verpackung für mehr Sicherheit
Anwendungsbereich
• Einsatz in Industrieanlagen, die hohe Gleichspannungen benötigen
• Geeignet für aktives Klemmenvorwärtsschalten
• Anwendbar in Energieumwandlungssystemen
• Eingesetzt in Automatisierungsprozessen und elektrischen Steuerungssystemen
Welcher Temperaturbereich ist für die Verwendung vorgesehen?
Das Produkt arbeitet effektiv bei Temperaturen von -55°C bis +150°C und bietet Stabilität in verschiedenen Umgebungen.
Wie kann die Wärmeleistung während des Betriebs aufrechterhalten werden?
Angemessene Wärmeableitung ist entscheidend; der Wärmewiderstand des Sperrschichtgehäuses wird mit 3,8 K/W gemessen.
Kann das Gerät bei wiederholten Lawinenabgängen verwendet werden?
Ja, es ist für wiederholte Lawinenbedingungen ausgelegt, wobei die Energiegrenzen in den Produktspezifikationen angegeben sind.
Welche Bedeutung haben extrem niedrige effektive Kapazitäten?
Extrem niedrige effektive Kapazitäten verbessern die Schaltleistung und minimieren die Energieverluste bei Übergängen.
Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.