Infineon OptiMOS T2 IPB160N04S4H1ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 160 A 167 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
145-9577
Herst. Teile-Nr.:
IPB160N04S4H1ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

160 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

1,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

167 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

105 nC @ 10 V

Breite

9.25mm

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Serie

OptiMOS T2

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

4.4mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
MY