Infineon HEXFET IRLB8748PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 92 A 75 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 145-9612
Herst. Teile-Nr.:: IRLB8748PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRLB8748PBF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 92 A 75 W, 3-Pin TO-220AB

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Herst. Teile-Nr.:: IRLB8748PBF
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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon

Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	92 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.35V
Gate-Schwellenspannung min.	1.35V
Verlustleistung max.	75 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	15 nC @ 4,5 V
Länge	10.67mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	9.02mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C