Infineon OptiMOS™ 3 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 90 A 167 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-9634
Herst. Teile-Nr.:
IPP037N06L3GXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

90 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS™ 3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

167 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.36mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

15.95mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

59 nC @ 4,5 V

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C