Infineon COOLiRFET AUIRFR8401 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 100 A 79 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 145-9647
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR8401
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 + | 0,666 € | 49,95 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-9647
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFR8401
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,2 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.2V | |
| Verlustleistung max. | 79 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Serie | COOLiRFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4,2 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.2V | ||
Verlustleistung max. 79 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 6.73mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 42 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Serie COOLiRFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 2.39mm | ||
- Ursprungsland:
- MX
Leistungs-MOSFET COOLiRFET™, Infineon
Die für die Automobilindustrie geeigneten Leistungs-MOSFETs COOLiRFET™ von Infineon weisen einen sehr geringen Widerstand (RDS(ein)) und sehr geringe Leitungsverluste auf, was sich in sehr effizienten Schaltgeschwindigkeiten von Starkstromsignalen widerspiegelt. Sie liefern höhere Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit in rauen Signalumgebungen mit robuster Stoßentladungsleistung, niedrigen Leitungsverlusten, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.