Infineon SIPMOS SPP18P06PHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 13,2 A 81,1 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-9659
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP18P06PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- 145-9659
- Herst. Teile-Nr.:
- SPP18P06PHXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 13,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 130 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 81,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.57mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 15.95mm | |
| Serie | SIPMOS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 13,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 130 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 81,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.36mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V | ||
Breite 4.57mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 15.95mm | ||
Serie SIPMOS | ||
- Ursprungsland:
- MY