DiodesZetex DXT13003DG-13 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 1,3 A 3 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 146-0957
- Herst. Teile-Nr.:
- DXT13003DG-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- DXT13003DG-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Verlustleistung max. | 3 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | +9 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.55mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 6.55mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Verlustleistung max. 3 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. +9 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.55mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 6.55mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN