IXYS HiperFET, Polar3 IXFP22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 146-1747
Herst. Teile-Nr.:: IXFP22N60P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFP22N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 22 A 500 W, 3-Pin TO-220AB

Voraussichtlich ab 28.04.2025 verfügbar.

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RS Best.-Nr.:: 146-1747
Herst. Teile-Nr.:: IXFP22N60P3
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

IXFA22N60P3, IXFP22N60P3, IXFQ22N60P3, IXFH22N60P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	22 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Serie	HiperFET, Polar3
Gehäusegröße	TO-220AB
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	360 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	500 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.83mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38 nC @ 10 V
Länge	10.66mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	16mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C