IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ34N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 34 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 146-1753
Herst. Teile-Nr.:: IXFQ34N50P3
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar3 IXFQ34N50P3 N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 34 A 695 W, 3-Pin TO-3PN

Voraussichtlich ab 16.06.2025 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

6,978 €

(ohne MwSt.)

8,304 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	6,978 €	209,34 €
60 - 120	6,629 €	198,87 €
150 +	6,28 €	188,40 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 146-1753
Herst. Teile-Nr.:: IXFQ34N50P3
Marke:: IXYS

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	34 A
Drain-Source-Spannung max.	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Gehäusegröße	TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	175 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	695 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	60 nC @ 10 V
Breite	4.9mm
Länge	15.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	20.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C