IXYS Einfach X2-Class Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 12 A 180 W,
- RS Best.-Nr.:
- 146-1786
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTH12N65X2
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | X2-Class | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 180W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 21.45 mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Länge | 16.24mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie X2-Class | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 180W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 21.45 mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Länge 16.24mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS X2-Class
Die IXYS-Leistungs-MOSFET-Serie der Klasse X2 bietet im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs eine erheblich reduzierte Widerstands- und Gate-Ladung, was zu geringeren Verlusten und höherer Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte verfügen über eine intrinsische Diode und eignen sich sowohl für Anwendungen mit hartem Schalt- als auch mit Resonanzmodus. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Vielzahl von Industriestandard-Gehäusen erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennwerten von bis zu 120 A bei 650 V. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Schneider, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Sehr niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)
Eigene Gleichrichterdiode
Geringer intrinsischer Gate-Widerstand
Geringe Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach Industriestandard
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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