IXYS Einfach X2-Class N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 12 A 180 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 146-1786
- Herst. Teile-Nr.:
- IXTH12N65X2
- Marke:
- IXYS
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- IXTH12N65X2
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | X2-Class | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 650 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 12 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 180 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.4 V | |
| Höhe | 5.3 mm | |
| Länge | 16.24 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 300 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -30 V, +30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 17.7 nC | |
| Breite | 21.45 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie X2-Class | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage, Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 650 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 12 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 180 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.4 V | ||
Höhe 5.3 mm | ||
Länge 16.24 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 300 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -30 V, +30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 17.7 nC | ||
Breite 21.45 mm | ||
- Ursprungsland:
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS X2-Class Series
The IXYS X2 class Power MOSFET series offers significantly reduced on resistance and gate charge when compared to earlier generations of power MOSFETs resulting in reduced losses and higher operational efficiency. These rugged devices incorporate an intrinsic diode and are suitable for both hard switching and resonant mode applications. X2 class Power MOSFETs are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 120A at 650V. Typical applications include DC-DC converters, AC and DC motor drives, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, Solar inverters, temperature and lighting control.
Very low RDS(on) and QG (gate charge)
Intrinsic rectifier diode
Low intrinsic gate resistance
Low package inductance
Industry standard packages
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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