IXYS HiperFET, X2-Class IXFH34N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 146-1788
Herst. Teile-Nr.:: IXFH34N65X2
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, X2-Class IXFH34N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 540 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: IXFH34N65X2
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Ursprungsland:: US

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiPerFET™ Serie X2

Die Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 aus der Serie HiPerFET von IXYS bieten einen deutlich verringerten Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringe Gate-Ladung im Vergleich zu früheren Generationen von Leistungs-MOSFETs, was zu geringeren Verlusten und einer höheren Betriebseffizienz führt. Diese robusten Geräte umfassen eine verbesserte Hochgeschwindigkeits-Intrinsic-Diode, und sie sind für hartes Schalten ebenso wie für den Resonanzbetrieb geeignet. Leistungs-MOSFETs der Klasse X2 sind in einer Reihe von Industriestandard-Gehäusen einschließlich isolierten Typen mit Nennströmen von bis zu 120 A bei 650 V erhältlich. Typische Anwendungen umfassen: DC/DC-Wandler, AC- und DC-Motorantriebe, Schalt- und Resonanznetzteile, DC-Chopper, Solarwechselrichter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.

Sehr niedriger RDS(ein) und QG (Gate-Ladung)
Schnelle interne Gleichrichterdiode
Niedriger intrinsischer Gate-Widerstand
Niedrige Gehäuseinduktivität
Industriestandard-Gehäuse

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	34 A
Drain-Source-Spannung max.	650 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, X2-Class
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	2.7V
Verlustleistung max.	540 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	56 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	21.45mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.24mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	5.3mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.4V