IXYS X2-Class N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 4 A 80 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:
146-1789
Herst. Teile-Nr.:
IXTY4N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Serie

X2-Class

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

850 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

80 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

8,3 nC @ 10 V

Länge

6.73mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

7.12mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.38mm

Ursprungsland:
US