onsemi PowerTrench FDMS1D5N03 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 218 A 83 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 146-3375
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS1D5N03
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 146-3375
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS1D5N03
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 218 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,15 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.8V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±16 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 99 @ 10 V nC | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 5.85mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 218 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,15 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.8V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±16 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 99 @ 10 V nC | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 5.85mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Höhe 1.05mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||