onsemi SuperFET III FCPF165N65S3 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 19 A 35 W, 3-Pin TO220F

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
146-4114
Herst. Teile-Nr.:
FCPF165N65S3L1
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

19 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO220F

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

165 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

35 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V ac/dc

Länge

10.3mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

35 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Höhe

15.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

SuperFET III