onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51 A 63 W, 8-Pin PQFN

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

116,40 €

(ohne MwSt.)

138,50 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. September 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
100 - 2251,164 €
250 +1,01 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
146-4116P
Herst. Teile-Nr.:
FDMS86183
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.85mm

Länge

5mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Leistungs-MOSFET, 100 V bis 1700 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.