IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 80 A 890 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
146-4237
Herst. Teile-Nr.:
IXFH80N65X2-4
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

HiperFET

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

38 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

890 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

140 @ 10 V nC

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.21mm

Länge

16.13mm

Höhe

21.34mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Niedriger RDS(ON) und Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Resonanznetzteile
Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)
AC- und DC-Motorantriebe
DC/DC-Konverter
Robotik und Servosteuerung
Akkuladegeräte
3-stufige Solarwechselrichter
LED-Beleuchtung
Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)
Höhere Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Einfache Montage
Platzersparnis