IXYS HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 40 A 860 W, 3-Pin TO-268HV

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RS Best.-Nr.:
146-4243
Herst. Teile-Nr.:
IXFT40N85XHV
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Gehäusegröße

TO-268HV

Serie

HiperFET

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

145 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

860 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

15.15mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

98 nC @ 10 V

Länge

16.05mm

Höhe

5.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.

Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm