IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 66 A 1,25 kW, 3-Pin PLUS247
- RS Best.-Nr.:
- 146-4245
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFX66N85X
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 66 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 850 V | |
| Gehäusegröße | PLUS247 | |
| Serie | HiperFET | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 65 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 kW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 230 nC bei 10 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 21.34mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 66 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 850 V | ||
Gehäusegröße PLUS247 | ||
Serie HiperFET | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 65 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 1,25 kW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 230 nC bei 10 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 21.34mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.
Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm