IXYS HiperFET IXFB150N65X2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 150 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264

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RS Best.-Nr.:
146-4401
Herst. Teile-Nr.:
IXFB150N65X2
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

150 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PLUS264

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

17 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

1,56 kW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

20.26mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

355 nC @ 10 V nC

Breite

5.31mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

26.59mm

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

HiperFET

Niedriger RDS(ON) und Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm
Resonanznetzteile
Starter für HID-Lampe (High Intensity Discharge)
AC- und DC-Motorantriebe
DC/DC-Konverter
Robotik und Servosteuerung
Akkuladegeräte
3-stufige Solarwechselrichter
LED-Beleuchtung
Unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs)
Höhere Effizienz
Hohe Leistungsdichte
Einfache Montage
Platzersparnis