IXYS HiperFET IXFA4N85X N-Kanal, SMD MOSFET 850 V / 3,5 A 150 W, 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
146-4407
Herst. Teile-Nr.:
IXFA4N85X
Marke:
IXYS
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Marke

IXYS

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,5 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

2 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

150 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Breite

10.92mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

7 @ 10 V nC

Länge

10.41mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.4V

Serie

HiperFET

Höhe

4.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Die Leistungs-MOSFETs 850V Ultra-Junction X-Class mit Fast-Body-Dioden ist eine neue Leistungshalbleiter-Produktlinie von IXYS Corporation. Diese robusten Geräte bieten den niedrigsten Betriebswiderstand der Branche für eine sehr hohe Leistungsdichte in Anwendungen mit Hochspannungs-Leistungsumwandlung. Die neuen 850V-Geräte wurden unter Verwendung des Ladungskompensationsprinzips und proprietärer Prozesstechnologie entwickelt und weisen die niedrigsten Betriebswiderstände (z. B. 33 Milliohm im SOT-227-Gehäuse und 41 Milliohm beim PLUS264) sowie geringe Gate Aufladungen und überlegene dv/dt-Leistung auf.

Extrem niedriger Betriebswiderstand RDS(ON) und Gate-Ladung Qg
Fast-Body-Diode
dv/dt Robustheit
Für Stoßentladung ausgelegt
Niedrige Gehäuseinduktivität
Gehäuse nach internationaler Norm