Vishay SI1902CDL-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 0,42 W, 6-Pin SOT-363
- RS Best.-Nr.:
- 146-4435
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1902CDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1902CDL-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,1 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 306 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.6V | |
| Verlustleistung max. | 0,42 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2 nC @ 10 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,1 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 306 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.6V | ||
Verlustleistung max. 0,42 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 2 nC @ 10 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Halogenfrei
Leistungs-MOSFET TrenchFET®
100 % Rg-geprüft
ANWENDUNGEN
Lastschalter und DC/DC-Wandler für mobile Geräte
Hochgeschwindigkeitsschalten
Leistungs-MOSFET TrenchFET®
100 % Rg-geprüft
ANWENDUNGEN
Lastschalter und DC/DC-Wandler für mobile Geräte
Hochgeschwindigkeitsschalten