Vishay SI3443DDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 4 A 2,7 W, 6-Pin TSOP6

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RS Best.-Nr.:
146-4439
Herst. Teile-Nr.:
SI3443DDV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

TSOP6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

90 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

-1.5V

Gate-Schwellenspannung min.

-0.6V

Verlustleistung max.

2,7 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±12 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Länge

3.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

TrenchFET® Leistungs-MOSFET
PWM-optimiert
Material-Kategorisierung:
ANWENDUNGEN
Festplattenlaufwerke
DC/DC-Konverter
Lastschalter
Tragbare Geräte