Vishay SI3493BDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 2,97 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
146-4443
Herst. Teile-Nr.:
SI3493BDV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

TSOP-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

45 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

-0.9V

Gate-Schwellenspannung min.

-0.4V

Verlustleistung max.

2,97 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±8 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

3.1mm

Höhe

1mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Halogenfrei
Leistungs-MOSFET TrenchFET®
PWM-optimiert
100 % Rg-geprüft
ANWENDUNGEN
Lastschalter
PA-Schalter
Batterieschalter