DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.6 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
146-4666
Herst. Teile-Nr.:
DMTH6016LSD-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

28mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

3.95 mm

Länge

4.95mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Zweifacher N-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.


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