ROHM N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 4,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT
- RS Best.-Nr.:
- 148-6934
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E045BNTCR
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- 148-6934
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ6E045BNTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TSMT | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 49 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 3mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,4 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.8mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TSMT | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 49 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 3mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,4 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.8mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Niedriger EinschaltwiderstandIntegrierte G-S-SchutzdiodeKleines SMD-Gehäuse (TSMT6)Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform