ROHM P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,5 A 700 mW, 6-Pin SOT-563T
- RS Best.-Nr.:
- 148-6937
- Herst. Teile-Nr.:
- RW1E025RPT2CR
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,5 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOT-563T | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 125 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 700 mW | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,2 nC @ 5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,5 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOT-563T | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 125 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 700 mW | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,2 nC @ 5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 1.7mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 0.6mm | ||
4-V-AntriebstypP-Kanal-Mittelsignal-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifrei/RoHS-konform