ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 1700 V / 4 A 44 W, 3-Pin TO-268
- RS Best.-Nr.:
- 148-6940
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2H12NYTB
- Marke:
- ROHM
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- 148-6940
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2H12NYTB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1700 V | |
| Gehäusegröße | TO-268 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,71 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.6V | |
| Verlustleistung max. | 44 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 22 V | |
| Breite | 13.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14 nC @ 18 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Länge | 15.95mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 4.3V | |
| Höhe | 5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1700 V | ||
Gehäusegröße TO-268 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1,71 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V | ||
Verlustleistung max. 44 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 22 V | ||
Breite 13.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 14 nC @ 18 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Länge 15.95mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 4.3V | ||
Höhe 5mm | ||
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitLange Kriechstrecke ohne mittleren AnschlussEinfach anzutreibenBleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform