ROHM N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 20 A 120 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
148-6971
Herst. Teile-Nr.:
R6020ENZ1C9
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

360 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

120 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.21mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Diodendurchschlagsspannung

1.5V

Höhe

21.34mm

Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitGate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±30 VEinfache Antriebskreise möglichParallele Nutzung ist einfachBleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform