ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 339 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 150-1526
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3030ALGC11
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 150-1526
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT3030ALGC11
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 70 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 39,6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.6V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.7V | |
| Verlustleistung max. | 339 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 22 V | |
| Breite | 5mm | |
| Länge | 16mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 104 nC @ 18 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 21mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 70 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 39,6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.6V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.7V | ||
Verlustleistung max. 339 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 22 V | ||
Breite 5mm | ||
Länge 16mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 104 nC @ 18 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 21mm | ||
Geringer Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, schnelle Rückwärtswiederherstellung. Einfach zu parallelisieren, einfach zu anzutreiben, bleifrei beschichtet, RoHS-konform