Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.8 A 15.6 W, 8-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
151-3200
Herst. Teile-Nr.:
PMPB215ENEAX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

445mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

15.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.65mm

Breite

2.1 mm

Länge

2.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-Trench-MOSFET (80 V), N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem drahtlosen DFN2020MD-6 (SOT1220)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie und mittlerer Leistung.

Trench MOSFET-TechnologieKleines und ultraflaches kabelloses SMD-Kunststoffgehäuse: 2 x 2 x 0,65 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungVerzinnte 100 % lötbare Seitenpads für optische LötstellenprüfungenAEC-Q101-qualifiziert

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