Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -2.4 A 8.33 W, 4-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 151-3227P
- Mfr. Part No.:
- PMXB120EPEZ
- Brand:
- Nexperia
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- Nexperia
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 187mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8.33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.36mm | |
| Breite | 1.05 mm | |
| Länge | 1.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 187mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8.33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.36mm | ||
Breite 1.05 mm | ||
Länge 1.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.
N-Kanal-Trench-MOSFET (30 V), P-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-3 (SOT1215)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 350 mΩ