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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	18 A
	Drain-Source-Spannung max.	55 V
	Gehäusegröße	DPAK
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3 + Tab
	Drain-Source-Widerstand max.	154 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.3V
	Gate-Schwellenspannung min.	0.5V
	Verlustleistung max.	51 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	15 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Länge	6.73mm
	Betriebstemperatur max.	+175 °C
	Breite	6.22mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	11 nC @ 10 V
	Höhe	2.38mm
	Automobilstandard	AEC-Q101
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 18 A
	Drain-Source-Spannung max. 55 V
	Gehäusegröße DPAK
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3 + Tab
	Drain-Source-Widerstand max. 154 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.3V
	Gate-Schwellenspannung min. 0.5V
	Verlustleistung max. 51 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. 15 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Länge 6.73mm
	Betriebstemperatur max. +175 °C
	Breite 6.22mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 11 nC @ 10 V
	Höhe 2.38mm
	Automobilstandard AEC-Q101
	Betriebstemperatur min. –55 °C

N-Kanal TrenchMOS-Logikpegel-FET, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Logikpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß dem entsprechenden AEC-Standard für kritische Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und zugelassen.

Q101-konform
Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Logikpegel
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Lasten von 12 V und 24 V
Automobilindustrie und allgemeines Schalten von Leistungen
Motoren, Leuchten und Magnete

Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 18 A 51 W, 3 + Tab-Pin DPAK