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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Channel-Typ	P
	Dauer-Drainstrom max.	-4,1 A
	Drain-Source-Spannung max.	–20 V
	Gehäusegröße	SC-74, SOT457
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand max.	129 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	-1.25V
	Gate-Schwellenspannung min.	-0.75V
	Verlustleistung max.	6250 mW
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	12 V
	Breite	1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	3
	Länge	3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,2 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Automobilstandard	AEC-Q101
	Höhe	1mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Channel-Typ P
	Dauer-Drainstrom max. -4,1 A
	Drain-Source-Spannung max. –20 V
	Gehäusegröße SC-74, SOT457
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand max. 129 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. -1.25V
	Gate-Schwellenspannung min. -0.75V
	Verlustleistung max. 6250 mW
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. 12 V
	Breite 1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 3
	Länge 3.1mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,2 nC @ 10 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Automobilstandard AEC-Q101
	Höhe 1mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Einfacher P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT457 (SC-74) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedrige Schwellenspannung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Trench MOSFET-Technologie
2 kV ESD-Schutz
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen

Nexperia P-Kanal 3, SMD MOSFET –20 V / -4,1 A 6250 mW, 6-Pin SC-74, SOT457