Nexperia N/P-Kanal Hex, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 4025 mW, 8-Pin DFN1010B-6, SOT1216

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RS Best.-Nr.:
153-0727
Herst. Teile-Nr.:
PMCXB900UELZ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

600 mA

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

DFN1010B-6, SOT1216

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

0.95V

Gate-Schwellenspannung min.

0.45V

Verlustleistung max.

4025 mW

Gate-Source Spannung max.

8 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,4 nC @ 10 V

Länge

1.15mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

6

Breite

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.36mm

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFETs, effiziente Leistung, effizientes Design. Mit N- und P-Kanal-MOSFETs, kombiniert in einem praktischen Gehäuse, bieten diese gepaarten MOSFET-Bauelemente ein großes Maß an Flexibilität in platzkritischen Systemen. Unser Angebot deckt verschiedene Nennspannungen und Nennströme ab, und erfüllt dabei die Anforderungen einer Vielzahl von Anwendungen.

Gepaarte N/P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, gepaarte N/P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Niedriger Leckstrom
Trench MOSFET-Technologie
Sehr niedrige Schwellenspannung für mobile Anwendungen: VGS(th) = 0,7 V
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBM
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Spannungspegelumsetzer
Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten