Nexperia P-Kanal 3, SMD MOSFET –20 V / -5,7 A 8330 mW, 6-Pin SC-74, SOT457

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RS Best.-Nr.:
153-0757
Herst. Teile-Nr.:
PMN42XPEAX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

-5,7 A

Drain-Source-Spannung max.

–20 V

Gehäusegröße

SC-74, SOT457

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

64 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

-1.25V

Gate-Schwellenspannung min.

-0.75V

Verlustleistung max.

8330 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

11,5 nC @ 10 V

Breite

1.7mm

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Länge

3.1mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Höhe

1.1mm

P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT457 (SC-74) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Trench MOSFET-Technologie
2 kV ESD-Schutz
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen