Nexperia N-Kanal 3, SMD MOSFET 30 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3, SOT1215

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RS Best.-Nr.:
153-0777
Herst. Teile-Nr.:
PMXB65ENEZ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

DFN1010D-3, SOT1215

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

107 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

8,33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

3

Breite

1.05mm

Länge

1.15mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6 nC @ 10 V

Höhe

0.36mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal-MOSFETs, 25 V – 30 V, robuste Leistung dank fortschrittlicher Technologie, einfach zu verwendende MOSFETs im Bereich von 25 V bis 30 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistung und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). Benötigen Sie eine andere Nennspannung? Schauen Sie sich den Rest unseres riesigen Portfolios an, um mehr Optionen zu sehen.

N-Kanal Trench-MOSFET für 30 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD) 1 kV
Sehr niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle von RDSon = 44 mΩ
Low-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten
LED-Treiber
DC/DC-Wandler