Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 54 A 55 W, 4-Pin LFPAK33, Power33

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
153-1878
Herst. Teile-Nr.:
BUK9M10-30EX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

54 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

LFPAK33, Power33

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

18,7 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.1V

Gate-Schwellenspannung min.

1.4V

Verlustleistung max.

55 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

15 V

Breite

2.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

5,5 nC @ 10 V

Länge

3.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

Höhe

0.9mm

N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel, 30 V, 10 mΩ, in LFPAK33, N-Kanal MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK33 (Power33) Gehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde entwickelt und qualifiziert gemäß dem AEC Q101-Standard für den Einsatz in Hochleistungs-Kfz-Anwendungen.

Q101-konform
Für sich wiederholende Stoßentladung ausgelegt
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
Gate mit echtem Logikpegel mit einem VGS(th)-Nennwert von über 0,5 V bei 175 °C
12-V-Kfz-Systeme
Motoren, Leuchten und Magnetschaltersteuerung
Getriebesteuerung
Schalten von extrem hohen Leistungen