Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,2 A 8,33 W, 4-Pin DFN1010D-3

N-Kanal-MOSFETs für ≤ 20 V, Erhalten Sie die optimale Schaltlösungen für Ihren mobilen Designs: Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs mit bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.

N-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010D-3 (SOT1215) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und dünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Sehr niedriger Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle von RDSon = 42 mΩ
1 kV ESD-geschützt
Low-Side-Lastschalter und Ladeschalter für tragbare Geräte
Stromüberwachung in batteriebetriebenen mobilen Geräten
LED-Treiber
DC/DC-Wandler