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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	2,1 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	SOT23, TO-236AB
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	246 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.7V
	Gate-Schwellenspannung min.	1.3V
	Verlustleistung max.	6,4 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	5,9 nC
	Länge	3mm
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip	3
	Breite	1.4mm
	Höhe	1mm
	Automobilstandard	AEC-Q101
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 2,1 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße SOT23, TO-236AB
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 246 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.7V
	Gate-Schwellenspannung min. 1.3V
	Verlustleistung max. 6,4 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. 20 V
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 5,9 nC
	Länge 3mm
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Anzahl der Elemente pro Chip 3
	Breite 1.4mm
	Höhe 1mm
	Automobilstandard AEC-Q101
	Betriebstemperatur min. –55 °C

N-Kanal-Trench-MOSFET für 60 V, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Logikstufenkompatibel
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen

Nexperia PMV120ENEAR N-Kanal 3, SMD MOSFET 60 V / 2,1 A 6,4 W, 3-Pin SOT23, TO-236AB