Nexperia P-Kanal, SMD MOSFET –50 V / –0,17 A 1,09 W, 6-Pin SOT-666

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RS Best.-Nr.:
153-1981
Herst. Teile-Nr.:
BSS84AKV,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

–0,17 A

Drain-Source-Spannung max.

–50 V

Gehäusegröße

SOT-666

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

13,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

-2.1V

Gate-Schwellenspannung min.

-1.1V

Verlustleistung max.

1,09 W

Gate-Source Spannung max.

20 V

Breite

1.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,26 nC @ 2,5 V

Länge

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

0.6mm

Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET mit 50 V, 170 mA, zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen SOT666 SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie und flacher Anschlussleitung.

Kompatibel mit Logik-Ebene
Sehr schnelle Schaltung
Trench MOSFET-Technologie
ESD-Schutz bis 1 kV
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen