Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 20,7 A 60,4 W, 4 + Tab-Pin LFPAK

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RS Best.-Nr.:
153-2876
Herst. Teile-Nr.:
BUK9Y58-75B,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20,7 A

Drain-Source-Spannung max.

75 V

Gehäusegröße

LFPAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

145 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.45V

Gate-Schwellenspannung min.

0.5V

Verlustleistung max.

60,4 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

15 V

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10,7 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

4.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal TrenchMOS-Logikpegel-FET, N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) für Logikpegel in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß dem entsprechenden AEC-Standard für kritische Anwendungen in der Automobilindustrie entwickelt und zugelassen.

Geringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands
Q101-konform
Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Logikpegel
Geeignet für thermisch anspruchsvolle Umgebungen aufgrund der Auslegung für 175 °C:
12-V-, 24-V- und 42-V-Lasten
Kfz-Systeme
DC/DC-Wandler
Universelles Ein-/Ausschalten
Magnetantriebe

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