Nexperia N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 74 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
153-2878
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R5-30YL,115
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

LFPAK, SOT-669

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand max.

6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.45V

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

74 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

19 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.1mm

Höhe

1.05mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal-MOSFETs, 25 V – 30 V, robuste Leistung dank fortschrittlicher Technologie, einfach zu verwendende MOSFETs im Bereich von 25 V bis 30 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistung und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). Benötigen Sie eine andere Nennspannung? Schauen Sie sich den Rest unseres riesigen Portfolios an, um mehr Optionen zu sehen.

N-Kanal Logikpegel-MOSFET mit 30 V 3,5 mΩ in LFPAK, Logikpegel-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in industriellen und kommerziellen Anwendungen entwickelt und zugelassen.

Hoher Wirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste
Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Logikpegel
Verstärker der Klasse D
DC/DC-Wandler
Motorsteuerung
Servernetzteile