Nexperia PSMN3R5-30YL,115 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 74 W, 4-Pin LFPAK, SOT-669
- RS Best.-Nr.:
- 153-2878
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R5-30YL,115
- Marke:
- Nexperia
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- PSMN3R5-30YL,115
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Produktdetails
N-Kanal-MOSFETs, 25 V – 30 V, robuste Leistung dank fortschrittlicher Technologie, einfach zu verwendende MOSFETs im Bereich von 25 V bis 30 V. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistung und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA). Benötigen Sie eine andere Nennspannung? Schauen Sie sich den Rest unseres riesigen Portfolios an, um mehr Optionen zu sehen.
N-Kanal Logikpegel-MOSFET mit 30 V 3,5 mΩ in LFPAK, Logikpegel-N-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in industriellen und kommerziellen Anwendungen entwickelt und zugelassen.
Hoher Wirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste
Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Logikpegel
Verstärker der Klasse D
DC/DC-Wandler
Motorsteuerung
Servernetzteile
Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Logikpegel
Verstärker der Klasse D
DC/DC-Wandler
Motorsteuerung
Servernetzteile
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | LFPAK, SOT-669 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 6 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.45V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.65V |
| Verlustleistung max. | 74 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4.1mm |
| Länge | 5mm |
| Höhe | 1.05mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
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