onsemi NTTFS4928N NTTFS4928 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 37 A 20,8 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 161-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS4928NTAG
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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- 161-2594
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS4928NTAG
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 37 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 13,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 20,8 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Breite | 3.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 3.15mm | |
| Betriebstemperatur max. | 150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Serie | NTTFS4928N | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 37 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 20,8 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Breite 3.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 3.15mm | ||
Betriebstemperatur max. 150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 16 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.1V | ||
Höhe 0.75mm | ||
Serie NTTFS4928N | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Leistungs-MOSFET, 30 V, 41 A, einfacher N-Kanal, u8FL
Qg und Rg optimiertNiedrige KapazitätNiedriger RDS (EIN)Ohne Blei, Halogen/BFRVerbesserung der Signalqualität und Minimieren von SchaltverlustenMinimieren von TreiberverlustVerbesserung der EffizienzRoHS-kompatibelAnwendungsbereichDC/DC-Wandler
