Infineon IRF9910 IRF9910TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
162-3269
Herst. Teile-Nr.:
IRF9910TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

18,3 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.55V

Gate-Schwellenspannung min.

1.65V

Verlustleistung max.

2 W

Gate-Source Spannung max.

±20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

15 nC @ 4,5 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

IRF9910

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

1V

20 V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET im SO-8 Gehäuse

Niedriger RDS (Ein) bei 4,5 V VGSSehr geringe GateladungLawinenspannung und -strom umfassend beschriebenZweifacher N-Kanal-MOSFET